DMN62D0UW-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一颗能够平衡性能、尺寸与可靠性的关键开关？DMN62D0UW-7正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的耐压能力和高达340mA的连续漏极电流，为您的小型化、高密度应用提供了坚实而高效的功率开关解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您产品提升能效、简化设计、赢得市场的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密的负载开关电路中，DMN62D0UW-7正默默发挥着核心作用。其仅需1.8V的低驱动电压即可开启高效通道，在4.5V驱动下导通电阻低至2欧姆，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了您产品的续航与稳定性。无论是需要精密电源管理的物联网传感器节点，还是空间极其有限的穿戴式设备内部，这颗采用超小型SOT-323封装的芯片都能轻松融入，以微小的身躯承载关键的开关任务，确保从-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定工作。

选择DMN62D0UW-7，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越的价值。它极低的栅极电荷（仅0.5nC）和输入电容（32pF），确保了高速开关性能，能有效减少开关损耗，让您的系统响应更迅捷。其高达320mW的功率耗散能力，为设计提供了充裕的安全余量。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，专业的DIODES代理将是您坚实的后盾，确保这颗高性能芯片能顺畅地集成到您的创新设计中，助您快速将创意转化为具有市场竞争力的产品。

• 型号:DMN62D0UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 想获取DMN62D0UW-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否希望为紧凑型设计找到一颗既高效又可靠的“心脏级”开关？DMN62D0UW-7 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能在高达60V的电压和340mA的电流下稳定工作，凭借低至1.8V的驱动门槛和优异的导通电阻，显著降低系统功耗与发热，让您的设备运行更持久、更冷静。

这颗芯片专为空间受限的高性能应用而优化。其超小的SOT-323封装能轻松嵌入各类便携式电子产品、电池保护模块及精密控制电路中。极低的栅极电荷确保了快速的开关响应，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则提供了强大的环境适应性。选择它，就是为您的产品选择了一颗高效、紧凑且值得信赖的功率管理核心。