DMN62D0UT-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中，您是否正在寻找一颗既能承载高电压任务，又能在微小空间内稳定发挥的可靠开关？答案就在DMN62D0UT-7。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET阵列，以其高达60V的漏源电压和精巧的SOT-363封装，正成为工程师们应对空间与性能双重挑战的秘密武器。它不仅仅是一个晶体管，更是您释放产品潜能、提升系统可靠性的关键一环。

想象一下，在那些对体积极其敏感的便携式设备、可穿戴电子产品或是高密度电路板中，每一平方毫米都弥足珍贵。DMN62D0UT-7以其微小的SOT-523（SC-88）封装，完美解决了空间占用难题，让您的设计布局更加游刃有余。同时，其优异的电气特性确保了在电源管理、负载开关、信号路由等关键应用中的高效与稳定。无论是为电池供电设备提供精准的电源路径管理，还是在复杂的模拟/数字电路中实现高效的信号切换，它都能以出色的表现，成为您电路设计中值得信赖的“微型指挥官”。

选择DMN62D0UT-7，就是选择了一种面向未来的设计思路。它代表了高性能与高集成度的完美融合，让您在应对日益严苛的能效标准和紧凑化趋势时，始终领先一步。其“有源”的产品状态意味着它技术成熟、供应稳定，是量产项目的坚实保障。当您需要可靠、高效的MOSFET解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，不仅能确保您获得正品货源与技术支持，更能让这颗小巧而强大的芯片的价值在您的产品中得到最大程度的发挥，助您打造出更小巧、更智能、更可靠的终端产品，赢得市场竞争的先机。

• 型号:DMN62D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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还在为电路板空间局促而烦恼，担心开关元件的性能与可靠性吗？让DMN62D0UT-7为您开启高效紧凑设计的新篇章。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了高达60V的耐压能力于微小的SOT-363封装之中，专为空间受限的高性能应用而生。

它能让您轻松实现高效的负载切换与电源管理，显著提升系统能效。其表面贴装型设计简化了您的生产流程，而稳定的性能则确保了产品的长期可靠性。无论是便携设备还是高密度模块，选择它，就是选择了一种让设计更优雅、让性能更出众的智能解决方案。