DMN62D0LFB-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一颗既能稳定驱动小型负载，又能为您的PCB布局节省每一毫米空间的N沟道MOSFET？答案就在DMN62D0LFB-7。这颗来自Diodes Incorporated的精巧器件，以其60V的耐压能力和高达100mA的连续漏极电流，为您的小功率开关应用提供了坚实可靠的核心动力。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现产品微型化、高效化设计的得力助手。

想象一下，在您的便携式医疗监测设备、智能穿戴传感器或超薄型消费电子产品的核心板上，DMN62D0LFB-7正默默发挥着关键作用。它凭借仅1.5V的低驱动电压门槛和最高仅2欧姆的导通电阻，确保了信号切换的迅捷与高效，最大程度减少了功率损耗，直接延长了终端设备的续航时间。无论是用于电源管理路径的切换，还是作为精密信号链路的控制开关，它都能在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，让您的产品无惧环境挑战，始终如一。

选择这颗芯片，意味着您选择了一种经过市场验证的卓越价值。其超低的栅极电荷（仅0.45nC）和输入电容（最大32pF），意味着它需要的驱动能量极小，这让您的系统设计可以更加灵活，甚至可以使用更小、更经济的驱动IC，从而优化整体BOM成本。其微小的3-DFN封装，面积比一颗0402电阻还要节省，为高密度集成铺平了道路。当您从值得信赖的DIODES一级代理处获取这颗芯片时，您获得的不仅是品质的保证和稳定的供货，更是将前沿半导体技术快速转化为产品竞争力的捷径。让DMN62D0LFB-7成为您下一个创新项目中的隐形冠军，驱动灵感，点亮未来。

• 型号:DMN62D0LFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.45 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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您是否希望为小巧精密的电路找到一颗“高效能、小身材”的开关核心？DMN62D0LFB-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任60V电压下、100mA电流的负载开关任务，其低至1.5V的驱动门槛和出色的导通特性，让您的系统能以极低的控制功耗实现高效、可靠的信号通断。

它采用先进的3-DFN超微型封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，非常适合集成到对尺寸极其敏感的便携式设备、物联网模块或传感器接口中。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更稳定、能效更出众的智能化解决方案。