DMN61D9UW-7

您是否正在为紧凑型设备寻找一款既能承受高压冲击，又能保持高效稳定运行的MOSFET解决方案？想象一下，在空间极其有限的电路板上，一颗芯片需要同时肩负起开关控制与功率管理的重任这正是DMN61D9UW-7大显身手的舞台。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的漏源电压和340mA的连续漏极电流能力，为您的设计注入强劲而可靠的核心动力。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保长期稳定性的关键伙伴。

无论是便携式医疗监测设备中精密的电源管理模块，还是智能穿戴设备里需要高效节能的负载开关，甚至是工业传感器网络中要求严苛的信号切换电路，DMN61D9UW-7都能完美融入。其SOT-323的超小型封装，天生为高密度PCB布局而生，让您在寸土寸金的板卡空间里游刃有余。更令人印象深刻的是，它在仅1.8V的低驱动电压下即可开启，导通电阻低至2欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接为您的终端产品带来更长的续航时间和更出色的温控表现。

选择DMN61D9UW-7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了从酷寒到炎热的极端环境下依然稳定如初。极低的栅极电荷（仅0.4nC）和输入电容，带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。当您需要可靠、高效且节省空间的MOSFET时，这颗芯片就是不言而喻的答案。为了确保您能便捷地获得这颗优质芯片及其完整的技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES代理进行采购，从而保障供应链的顺畅与产品的原厂品质。让DMN61D9UW-7成为您下一个创新项目的坚实基石，开启高效能、高可靠性的设计新篇章。

• 型号:DMN61D9UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 想获取DMN61D9UW-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能在微小空间内高效控制功率的MOSFET而烦恼吗？让DMN61D9UW-7为您排忧解难！这颗N沟道MOSFET是您实现紧凑型、高效率设计的秘密武器。它能让您轻松驾驭高达60V的电压和340mA的电流，凭借其低至2欧姆的导通电阻和仅需1.8V的低压驱动特性，显著降低功率损耗，提升系统整体能效。

无论是用于便携设备的电源开关、信号路径切换，还是作为精密电路中的负载驱动器，DMN61D9UW-7都能以SOT-323的超小身形，为您节省宝贵的PCB空间。其快速的开关响应和出色的热性能，确保您的应用运行更稳定、更可靠。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更出众的轻松方式。