DMN61D8LVTQ-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个便携式设备或电源模块，是否还在为寻找一颗既能承受60V高压、又能实现高效开关控制的微型双MOSFET而烦恼？答案就在这里DMN61D8LVTQ-7。这颗来自Diodes Incorporated的卓越芯片，以其2 N-通道逻辑电平门设计，为您打开了高性能与高集成度并存的新世界。它不仅仅是一个组件，更是您产品实现小型化、智能化和高可靠性的关键动力引擎。

想象一下，在您精巧的TWS耳机充电仓、便携式医疗设备或是高密度LED驱动电路中，DMN61D8LVTQ-7正悄然发挥着核心作用。其高达60V的漏源电压和630mA的连续漏极电流，为负载开关、电源路径管理和信号切换提供了坚实的保障。更令人惊喜的是，在5V逻辑电平驱动下，其导通电阻低至1.8欧姆，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了您终端产品的续航能力和稳定性。无论是应对-55°C到150°C的严苛环境，还是在仅820mW的功率限制下高效工作，它都游刃有余。

选择DMN61D8LVTQ-7，就是选择了一种面向未来的设计哲学。其TSOT-26超小型封装，为您的PCB布局节省了宝贵的空间，让产品设计更加自由灵活。极低的栅极电荷（0.74nC）和输入电容（12.9pF），确保了超快的开关速度和极低的驱动损耗，让您的系统响应更加迅捷，整体能效再上一个台阶。当您需要可靠且高性能的半导体解决方案时，通过专业的DIODES代理获取这颗芯片，无疑是确保供应链稳定和产品品质的最佳途径。让DMN61D8LVTQ-7成为您创新蓝图中的那颗关键棋子，共同定义下一代的电子设备体验。

• 型号:DMN61D8LVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9pF @ 12V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 想获取DMN61D8LVTQ-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为空间有限的电路板寻找一颗性能强劲的“双核”开关吗？DMN61D8LVTQ-7正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET阵列，能让您轻松实现高效的负载切换与信号控制。其逻辑电平门设计意味着您可以直接用微控制器的5V GPIO口驱动，无需复杂的电平转换电路，大大简化了您的设计。

凭借60V的耐压能力和630mA的连续电流，它足以应对大多数便携设备和模块的功率需求。更关键的是，其超低的导通电阻和栅极电荷，能显著减少开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。采用微型TSOT-26封装，它几乎不占用板面空间，是追求高密度与高可靠性设计的理想选择。