DMN61D8LVT-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一款既能承载关键负载，又能节省宝贵空间的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍DMN61D8LVT-7，这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET，正是为满足现代高密度、高效率应用而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您产品性能跃升、设计精简化的强大引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器节点中，需要精准控制多个低压信号或电源路径。DMN61D8LVT-7凭借其逻辑电平门驱动特性，仅需极低的控制电压（Vgs(th)最大仅2V）即可被轻松唤醒，完美兼容微控制器GPIO口，让您的系统设计摆脱复杂的电平转换电路，直接实现高效驱动。其高达60V的漏源电压耐受能力和630mA的连续电流承载能力，为小型电机驱动、负载开关、电源管理模块提供了坚实可靠的保障。无论是电池供电设备中延长续航，还是空间受限的PCB上实现复杂功能，它都能游刃有余。

选择DMN61D8LVT-7，就是选择了一种更智能、更可靠的设计哲学。其超低的导通电阻（典型值远低于1.8欧姆）意味着更少的功率损耗和发热，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。极低的栅极电荷（仅0.74nC）和输入电容（12.9pF），确保了超快的开关速度，显著减少了开关损耗，特别适合高频PWM应用。TSOT-26的超小型封装，在820mW的功率处理能力下，实现了性能与尺寸的完美平衡，让您的产品在竞争中脱颖而出。要获得这颗性能强劲的芯片及其完善的技术支持，通过正规的DIODES代理渠道进行采购，是确保供应链稳定与产品品质的最佳途径。

从消费电子到工业控制，从汽车周边到智能家居，DMN61D8LVT-7以其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和卓越的电气特性，默默守护着无数电路的稳定运行。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您实现创新设计、打造差异化产品的得力伙伴。立即将DMN61D8LVT-7纳入您的设计库，亲身体验它如何以微小的身躯，释放巨大的能量，驱动您的创意走向成功。

• 型号:DMN61D8LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9pF @ 12V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？DMN61D8LVT-7双N沟道MOSFET就是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效、紧凑的功率开关与信号切换。其逻辑电平门特性让微控制器可以直接驱动，简化设计；高达60V的耐压和630mA的电流能力，则为您的小型电机、负载开关提供可靠动力。

更重要的是，它凭借超低的导通电阻和栅极电荷，显著降低功率损耗与发热，提升整体能效。TSOT-26的超小封装，完美适配高密度PCB布局，让您的产品在性能和体积上都更具竞争力。选择DMN61D8LVT-7，就是选择用一颗芯片，解决空间、效率与可靠性的多重挑战。