DMN61D8LVT-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否正在为寻找一款既能承载60V高压，又能在微小封装内实现高效双通道控制的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMN61D8LVT-13，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、优化空间布局的得力助手，让高效与可靠触手可及。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密的电源管理单元中，空间何其珍贵。这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET，以其TSOT-26的超薄封装，轻松融入最紧凑的电路板布局，为您节省每一毫米的宝贵空间。其逻辑电平门控特性，意味着它能与当今主流的低压微处理器和数字信号处理器无缝对话，让您的系统设计更加简洁，响应更加迅速。无论是需要快速切换的负载开关，还是精密的信号路径选择，它都能以极低的导通电阻和栅极电荷，确保能量损耗最小化，让设备的续航与效能同步飞跃。

它的舞台遍布现代电子应用的各个角落。在物联网节点的电源管理电路中，它能高效地控制不同模块的供电，延长电池寿命；在便携式医疗设备的信号调理部分，其稳定的性能保障了测量的准确性；在工业自动化的小型化控制板上，它可靠地执行着开关指令，耐受-55°C至150°C的严苛环境温度。选择DMN61D8LVT-13，就是选择了一种经过验证的可靠性。其630mA的连续漏极电流和820mW的最大功率处理能力，为您的设计提供了充裕的安全余量。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES一级代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货，还能得到专业的技术支持，确保这颗芯片的价值在您的产品中得到完美释放。它不仅仅是一个参数表上的选项，更是您实现产品差异化、赢得市场先机的关键拼图。

• 型号:DMN61D8LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9pF @ 12V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 想获取DMN61D8LVT-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的双路开关控制寻找简洁高效的解决方案吗？DMN61D8LVT-13双N沟道MOSFET就是您的理想答案。它能让您轻松驾驭高达60V的电压，并以仅1.8欧姆的低导通电阻，确保电流通路顺畅无阻，显著降低功率损耗，提升整体系统效率。

这颗芯片专为空间受限的现代电子设备而生。其超小的TSOT-26封装，让您能在寸土寸金的电路板上实现高密度布局，同时逻辑电平门控特性让您可以直接用微处理器的低压信号进行驱动，简化电路设计。无论是用于负载切换、信号隔离还是电源路径管理，它都能以快速响应和低栅极电荷，让您的设备运行更迅捷、更节能。