DMN61D8L-13

当您需要在小巧的PCB空间内实现高效可靠的开关控制时，是否曾为寻找一款性能与体积完美平衡的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。DMN61D8L-13正是为应对此类挑战而生，它以其卓越的电气性能和极致的微型化封装，重新定义了紧凑型设计的可能性。这款N沟道MOSFET不仅拥有高达60V的漏源电压耐受能力，更能在仅470mA的连续漏极电流下稳定工作，确保您的电路在严苛环境下依然坚如磐石。

想象一下，在便携式医疗设备、智能穿戴、IoT传感器模块或是高密度电源管理单元中，每一平方毫米的电路板面积都弥足珍贵。DMN61D8L-13凭借其SOT-23的超小型表面贴装封装，能轻松融入最紧凑的布局，为您的产品腾出宝贵空间以集成更多功能或实现更纤薄的外观。其低至1.8欧姆的导通电阻（在5V驱动下）意味着更低的导通损耗和发热，直接提升了系统的整体能效和可靠性，让您的终端产品在续航和温控表现上脱颖而出。

选择DMN61D8L-13，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一份对品质和性能的承诺。它宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够从容应对从极寒到酷热的各种环境挑战。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，这对于需要高频切换或精密时序控制的应用至关重要。无论是用于负载开关、信号切换还是电机驱动等辅助电路，它都能以出色的表现成为您设计中值得信赖的“ silent hero ”。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道和专业的技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全程服务，助力您的创意快速、高效地转化为市场领先的产品。

• 型号:DMN61D8L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):470mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间有限的电路板寻找一颗“小而强”的开关核心吗？DMN61D8L-13正是您的理想之选。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，集60V耐压、470mA持续电流能力于一身，却仅采用微小的SOT-23封装，让您能在最紧凑的设计中实现高效、可靠的负载控制与信号切换。

它拥有优异的电气特性：仅需3V至5V的低驱动电压即可完全开启，导通电阻低至1.8欧姆，能显著降低功率损耗和发热。同时，其极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应速度。这一切特性，让您可以轻松地将它集成到便携设备、传感器模块、电源管理电路等应用中，大幅提升系统的能效与整体性能。