DMN6140LQ-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和空间占用而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMN6140LQ-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小尺寸功率开关的可能性。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、实现高效稳定运行的秘密武器。

想象一下，在紧凑的便携式设备、高效的DC-DC转换器或是精密的负载开关电路中，DMN6140LQ-7能够大显身手。其高达60V的漏源电压和1.6A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的电压与电流余量，确保在各种工况下的可靠性与耐用性。更令人惊喜的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的140毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

选择DMN6140LQ-7，就是选择了一份安心与高效。它采用标准的SOT-23封装，在节省宝贵PCB空间的同时，简化了生产贴装流程。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够从容应对严苛的环境挑战。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，它都能完美融入，成为电路中那个默默奉献却至关重要的高效“开关”。我们专业的DIODES代理团队，随时准备为您提供从选型到量产的全方位技术支持，确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到最大程度的释放。

• 型号:DMN6140LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMN6140LQ-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能在有限空间内扛起功率开关重任的“小巨人”吗？DMN6140LQ-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET集60V耐压与1.6A电流能力于一身，却拥有仅140毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的能量损耗，让您的电源管理或电机驱动方案效率飙升。

它采用易于生产的SOT-23封装，为您节省每一毫米的电路板空间。更低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷。无论是用于负载开关、DC-DC转换还是电池保护电路，DMN6140LQ-7都能让您轻松实现高效、可靠且紧凑的设计，助力您的产品在市场中脱颖而出。