DMN60H080DS-13

在追求极致能效与可靠性的高压开关应用中，您是否曾为寻找一款既能承受严苛电压又能保持紧凑尺寸的解决方案而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMN60H080DS-13，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达600V的漏源电压和仅为80mA的连续漏极电流，重新定义了小信号高压开关的性能标杆。它不仅仅是一个元器件，更是您提升系统稳定性和能效表现的得力助手。

想象一下，在您的AC-DC电源适配器、LED照明驱动或是家用电器辅助电源中，DMN60H080DS-13正默默发挥着关键作用。它那仅1.7nC的低栅极电荷和25pF的微小输入电容，意味着极低的开关损耗和驱动需求，让您的电路在高频开关状态下依然游刃有余，效率显著提升。无论是需要高压启动的场合，还是作为隔离反馈回路中的开关，它都能确保信号的精准与系统的快速响应，让复杂的设计变得简单可靠。

选择DMN60H080DS-13，就是选择了一份从容与安心。其SOT-23-3的超小型封装，为空间受限的现代电子产品设计提供了极大的灵活性，同时表面贴装工艺也简化了您的生产流程。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定运行，大大增强了终端产品的耐用性和市场竞争力。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，我们的DIODES授权代理网络随时为您提供专业服务，从选型到量产，全程护航。让这颗高效能的小巧芯片，成为您下一个成功产品中不可或缺的核心动力。

• 型号:DMN60H080DS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 欧姆 @ 60mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMN60H080DS-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小电流控制电路寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？DMN60H080DS-13正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的耐压能力，能轻松应对AC-DC转换、LED驱动等场景中的高压侧开关任务，让您的设计在高压环境下依然稳定可靠。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下导通电阻极低，配合超低的栅极电荷和输入电容，能显著降低开关损耗，提升系统整体能效。其紧凑的SOT-23-3封装，让您能在狭小的PCB空间内实现高性能布局，同时宽广的工作温度范围确保产品在各种环境中持久耐用。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与安心的保障。