DMN6068LK3-13

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款兼具高性能与可靠性的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMN6068LK3-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的电气特性和坚固的物理设计，正重新定义60V电压等级下功率器件的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在紧凑的电源适配器内部，或在需要高效电机驱动的智能家居设备中，DMN6068LK3-13正以其高达6A的连续漏极电流和低至68毫欧的导通电阻，悄无声息地工作着。它显著降低了开关损耗和导通损耗，这意味着更低的温升、更高的整体效率，以及更长的设备使用寿命。无论是DC-DC转换器中的同步整流，还是电池保护电路中的负载开关，它都能提供稳定、迅捷的响应，确保能量以最经济的方式传递。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，更是赋予了产品应对严苛环境挑战的底气，让您的设计无惧酷暑与严寒。

选择DMN6068LK3-13，就是选择了一份值得信赖的性能保障。它采用行业通用的TO-252-3（DPAK）封装，不仅散热性能优异，也便于自动化贴装生产，能有效帮助您优化供应链与生产成本。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数，让驱动电路设计更为轻松，有助于简化您的系统布局。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，通过专业的DIODES芯片代理进行采购，将是确保产品顺利量产、抢占市场先机的明智之举。让DMN6068LK3-13成为您下一款明星产品中的核心动力，共同开启高效、可靠的电能管理新篇章。

• 型号:DMN6068LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:502 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能轻松驾驭60V中压应用、同时保持高效与低温运行的功率开关吗？DMN6068LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有6A的强大电流处理能力，而其核心魅力在于仅68毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

它采用坚固的TO-252-3表面贴装封装，散热性能出众，安装便捷。优化的栅极特性让驱动设计变得简单，帮助您加速产品开发周期。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，选择DMN6068LK3-13，就是为您的设计注入一股高效而稳定的核心动力。