DMN6017SK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时承载60V高压与43A大电流的功率开关，其导通电阻却低至惊人的18毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃和设计自由度的解放。这正是DMN6017SK3-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、可靠、紧凑型功率系统的基石。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发力的电机驱动，亦或是新能源车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，DMN6017SK3-13都能游刃有余。其高达50W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定可靠，让您的产品无惧挑战。其TO-252（D-Pak）封装兼顾了优异的散热性能与PCB空间利用率，是空间受限应用的理想选择。

选择DMN6017SK3-13，意味着您选择了一种更高效的设计哲学。极低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗和更低的温升，这不仅提升了系统整体效率，也简化了热管理设计，降低了综合成本。同时，其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于实现更快的开关速度，进一步减少开关损耗，特别适合高频开关应用。当您需要这样一颗性能卓越的功率器件时，通过值得信赖的DIODES代理商进行采购，是确保产品正品、供应稳定并获得专业技术支持的关键一步。让DMN6017SK3-13成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效能源管理的新篇章。

• 型号:DMN6017SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):43A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2711 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能兼顾高压、大电流与低损耗的功率开关而烦恼吗？DMN6017SK3-13正是您期待的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有60V的漏源电压和高达43A的连续漏极电流，而其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅18毫欧@10V），能显著降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用成熟的TO-252表面贴装封装，易于焊接且散热性能优异。无论是用于同步整流、电机控制还是各类开关电源，DMN6017SK3-13都能凭借其优异的电气特性和宽工作温度范围（-55°C至150°C），为您提供稳定可靠的性能保障，轻松应对严苛的应用挑战。