DMN5L06VA-7

在追求极致紧凑与高效能的设计竞赛中，您的下一个项目是否正为寻找一颗既能节省宝贵空间，又能提供可靠开关性能的微型双MOSFET而烦恼？答案就在DMN5L06VA-7。这颗来自Diodes Incorporated的精密器件，以其SOT-563（SOT-666）的超微型封装，将两个独立的N沟道MOSFET集成于方寸之间，专为空间受限的现代电子设备而生。它不仅仅是一个组件，更是您实现设计小型化、提升系统集成度的关键引擎。

想象一下，在便携式医疗监测设备中，它能够以极低的功耗精准控制传感器模块的电源通断；在智能穿戴设备的复杂电路中，它负责高效管理多个低压信号通道的切换，确保设备长时间续航。其逻辑电平门控特性（Vgs(th)最大仅1.2V）意味着它能被微控制器直接驱动，让您的设计摆脱复杂电平转换电路的束缚，电路更简洁，开发更迅速。无论是消费电子、物联网节点还是工业控制模块中的信号路由与负载开关，DMN5L06VA-7都能以其50V的耐压和280mA的连续电流能力，成为您电路中安静而可靠的“交通指挥官”。

选择DMN5L06VA-7，就是选择了一种经过验证的可靠性与极致的设计自由度。其3欧姆的低导通电阻（在2.7V, 200mA条件下）确保了开关过程中的功率损耗最小化，直接转化为更低的发热和更高的系统能效。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严苛环境挑战，从寒冷的户外设备到内部温升较高的紧凑型产品，都能稳定运行。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定应用和库存支持下依然极具价值。当您需要为经典设计或特定项目寻找值得信赖的解决方案时，专业的DIODES芯片代理是您获取可靠元器件和支持的重要伙伴。让这颗小巧但强大的双MOSFET，为您的创新注入高效与稳定的核心动力。

• 型号:DMN5L06VA-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:150mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• 想获取DMN5L06VA-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能大幅简化电路板布局、提升设计灵活性的微型开关解决方案？DMN5L06VA-7正是为此而生。这颗双N沟道MOSFET阵列，采用超紧凑的SOT-563封装，让您在寸土寸金的PCB上轻松实现两个独立的50V、280mA负载开关或信号切换功能，极大节省空间。

它的逻辑电平门控特性（驱动电压阈值低至1.2V）让您可以直接用微控制器的GPIO口驱动，无需额外的电平转换电路，设计更简单，成本更低。低至3欧姆的导通电阻意味着更高的开关效率和更少的能量损耗，帮助您的设备运行更凉爽、更持久。无论是用于便携设备的电源管理，还是精密仪器中的信号选通，DMN5L06VA-7都能让您的系统运行更加高效可靠。