DMN5L06-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款体积小巧、性能可靠且成本经济的开关解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍DMN5L06-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的平衡性，正成为众多紧凑型设备中的“隐形冠军”。它虽已停产，但其经典的设计和稳定的性能，使其在特定应用和库存市场中依然闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或低功耗控制电路中，需要一颗能够高效、精准地控制小电流通断的“开关”。DMN5L06-7正是为此而生。它拥有50V的漏源电压和280mA的连续漏极电流，足以轻松应对各类低压小功率场景。其低至1.8V的驱动电压门槛，意味着它能够被微控制器等低电平信号直接、轻松地驱动，极大地简化了您的驱动电路设计，节省了宝贵的PCB空间和BOM成本。无论是电池供电设备的负载开关、信号路径选择，还是LED的调光控制，它都能以极高的效率默默工作，确保每一份能量都用在刀刃上。

选择DMN5L06-7，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。其SOT-23-3的超小型封装，是空间受限设计的绝佳伴侣，让您的产品能够朝着更轻薄、更精致的方向迈进。尽管产品状态显示为停产，但这恰恰证明了其经典和成熟，对于许多现有产品维护、特定批次生产或对长期稳定性有极高要求的项目而言，通过可靠的DIODES代理渠道获取原装正品库存，依然是保障供应链安全与产品品质的明智之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现产品稳定表现、优化整体性能的一块坚实基石。

• 型号:DMN5L06-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.7V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为复杂的驱动电路和庞大的元件体积而头疼吗？DMN5L06-7为您提供简洁高效的解决方案。这颗N沟道MOSFET能让您仅用极低的控制电压（最低1.8V）就能精准掌控高达280mA的电流通断，轻松实现负载开关、信号切换等核心功能。

它采用经典的SOT-23-3微型封装，能帮您大幅节省电路板空间，特别适合嵌入到各类便携式设备、物联网模块和智能传感器中。其50V的耐压和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在多种应用环境下稳定可靠的性能表现，让您的设计更紧凑，运行更安心。