DMN55D0UTQ-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，如何为您的便携设备或精密模块找到那颗既能稳定驱动，又几乎不占空间的“心脏”？答案就藏在DMN55D0UTQ-7之中。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其50V的耐压和仅SOT-523的微型封装，正在重新定义小信号开关的效能边界。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现产品小型化、高效化梦想的关键拼图，让有限的电路板空间迸发出前所未有的控制力与可靠性。

想象一下，在您掌中的智能穿戴设备里，需要一颗元件来精准管理背光或传感器的供电；在复杂的工业控制模块中，一个信号通道需要被快速、安静地切换；或者，在那些对功耗极其敏感的电池供电产品中，任何一点不必要的损耗都意味着续航的缩短。DMN55D0UTQ-7正是为这些场景而生。其160mA的连续漏极电流和低至4欧姆的导通电阻，确保了在驱动小型负载时的高效与低发热。而仅需2.5V至4V的低驱动电压，让它能轻松被现代微控制器直接驱动，简化了您的电路设计，省去了额外的驱动芯片。无论是消费电子的灵动，还是工业应用的严苛，它都能游刃有余，稳定工作在-55°C到150°C的广阔温度范围内，默默守护着系统的持久运行。

选择DMN55D0UTQ-7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。Diodes Incorporated的品质背书，意味着每一颗芯片都符合高标准的一致性要求。其SOT-523表面贴装封装，不仅为自动化生产带来便利，极致小巧的体积更是您应对日益紧凑的产品设计的利器。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，通过正规的DIODES授权代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进、规避供应链风险的最明智决策。让这颗高效、可靠、微型的MOSFET，成为您下一个创新产品中不可或缺的卓越之选，开启效能与空间平衡的全新可能。

• 型号:DMN55D0UTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN55D0UTQ-7 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它拥有50V的耐压和160mA的驱动能力，却能以极小的SOT-523封装呈现，让您轻松实现高密度布局，为产品瘦身。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至2.5V的驱动门槛和仅4欧姆的导通电阻，让您能用微控制器的GPIO口直接、高效地控制小功率负载，显著降低系统功耗与发热。无论是切换信号路径、管理传感器电源，还是驱动微型继电器，它都能提供快速、可靠的开关性能，确保您的设计精简而强大。