DMN4800LSSL-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMN4800LSSL-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了功率转换的效率边界。它不仅仅是一个组件，更是您产品实现高效、可靠运行的关键引擎，专为应对严苛应用而打造。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制或负载开关电路中，DMN4800LSSL-13能够轻松驾驭30V的电压和高达8A的连续电流。其超低的14毫欧导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着在导通状态下几乎察觉不到的功率损耗，电能得以最大程度地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这直接为您带来了更长的电池续航、更小的散热器需求以及更紧凑的产品设计空间，让您的终端产品在市场上脱颖而出。

无论是消费电子中的快速充电设备、便携式储能产品，还是工业自动化中的精密控制单元，这颗芯片都能游刃有余。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了从极寒到酷热环境下的稳定表现，赋予产品无与伦比的环境适应性。选择DMN4800LSSL-13，就是选择了一份对性能与可靠性的双重承诺。它采用行业标准的8-SO表面贴装封装，便于集成和生产，能显著加速您的产品上市进程。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES中国代理团队始终是您最坚实的后盾，为您提供从选型到量产的全程服务。

归根结底，在元器件选型的十字路口，DMN4800LSSL-13提供了无可辩驳的选型理由：它以极具竞争力的性能参数，实现了效率、功率密度和成本之间的完美平衡。它不仅仅满足规格书上的要求，更致力于提升您整个产品的市场竞争力。拥抱高效，驾驭能量，就从这颗芯片开始，让它成为您下一个成功设计的核心动力。

• 型号:DMN4800LSSL-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:798 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.46W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
• 想获取DMN4800LSSL-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能瞬间提升您电路效率的“心脏”吗？DMN4800LSSL-13 N沟道MOSFET正是您期待的答案。它专为高效开关而优化，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更持久，直接提升终端产品的能效表现和可靠性。

这颗芯片能让您轻松应对30V/8A的功率场景。得益于优异的栅极电荷和输入电容特性，它能实现快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，控制更精准。无论是用于同步整流、DC-DC转换还是作为负载开关，它都能帮助您简化设计，实现更高功率密度。

选择DMN4800LSSL-13，就是选择了一个经得起考验的高性能解决方案。其坚固的设计和宽广的工作温度范围，确保它在各种环境下稳定工作，让您对产品的耐用性充满信心，全力聚焦于创新与市场开拓。