DMN4468LSS-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动高功率负载的开关器件而烦恼？想象一下，一个既能承受10A持续电流，又能在低至4.5V的驱动电压下高效导通的关键元件，将如何彻底改变您的电源管理或电机驱动方案。今天，我们为您带来的正是这样一款性能与尺寸完美平衡的解决方案DMN4468LSS-13。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，绝不仅仅是参数表上的冰冷数字。其30V的漏源电压和仅14毫欧的超低导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗被大幅削减，电能得以更高效地转化为驱动力量，而不是令人头疼的热量。这直接为您的终端产品带来了更长的运行时间、更低的温升以及更可靠的整体性能。无论是忙碌的消费电子生产线，还是要求严苛的工业自动化场景，它都能以稳定的输出，成为您电路设计中沉默而强大的基石。

具体来看，它的价值在多个热门应用场景中熠熠生辉。在蓬勃发展的无人机和便携式设备中，DMN4468LSS-13紧凑的8-SOP封装和卓越的能效，是延长电池续航、实现轻量化设计的秘密武器。在车载充电器、DC-DC转换器等电源模块里，其快速的开关特性和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了从酷暑到严寒都能稳定工作，守护每一次充电的安全与高效。而对于自动化设备中的电机驱动、负载开关等环节，10A的强大电流处理能力让控制更加有力，响应更加迅捷。

选择DMN4468LSS-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与面向未来的前瞻性。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、优化系统性能的战略性资产。其有源的产品状态和成熟的供应链，保障了您项目从研发到量产的顺畅无虞。当您需要专业的技术支持和稳定的货源时，值得信赖的DIODES芯片代理将是您坚实的后盾。现在就让它融入您的下一个设计，亲身感受高效开关如何驱动创新，赢取市场先机。

• 型号:DMN4468LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.95V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.52W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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还在寻找一颗能兼顾高性能与小尺寸的功率开关核心吗？DMN4468LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和10A的强劲电流处理能力，其关键在于低至14毫欧的导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它能在4.5V的低驱动电压下迅速响应，实现高效导通，同时其紧凑的8-SOP表面贴装封装为您节省宝贵的电路板空间。无论是用于提升便携设备的电池效率，还是强化工业控制的可靠性，它都能让您的设计轻松应对高负载挑战，稳定工作在从-55°C到150°C的广阔温度范围内，是您打造高效、紧凑、可靠电子产品的理想选择。