DMN4036LK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时兼顾高效率、低发热和出色稳定性的功率开关器件，将如何彻底改变您的产品设计。这正是DMN4036LK3-13诞生的使命它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力的核心引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其40V的漏源电压和高达8.5A的连续漏极电流能力，为各种中压、中电流应用场景提供了坚实可靠的心脏。无论是消费电子中的DC-DC转换器、电机驱动，还是工业电源、电池管理系统，它都能游刃有余。其关键优势在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅36毫欧的最大值，这意味着在导通状态下，电能损耗被大幅降低，更多的能量被有效传递，而非转化为无用的热量。这不仅直接提升了整机效率，更让您的散热设计变得前所未有的轻松，产品可以做得更小巧、更安静。

选择DMN4036LK3-13，就是选择了一份从容与自信。它4.5V的低驱动电压门槛，使其能与多种主流控制器完美匹配，简化您的驱动电路设计。同时，极低的栅极电荷（仅9.2nC @ 10V）和输入电容，确保了超快的开关速度，进一步减少了开关过程中的动态损耗，让高频高效运行成为可能。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-252-3（DPAK）的经典封装，赋予了它卓越的环境适应性和坚固的物理可靠性，无论是严苛的工业环境还是紧凑的消费类设备，它都能稳定服役。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您从选型到量产保驾护航。让DMN4036LK3-13成为您下一个爆款产品的秘密武器，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:DMN4036LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:453 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMN4036LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V/8.5A的强劲性能，其核心魅力在于极低的36毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

它能让您轻松驾驭DC-DC转换、电机控制、负载开关等多种应用。4.5V的低驱动电压使其易于控制，而超低的栅极电荷则确保了快速的开关响应，有效减少动态损耗。采用坚固的TO-252-3封装，并提供从-55°C到150°C的宽工作温度范围，DMN4036LK3-13是您打造高效、紧凑且鲁棒性强的功率电路的理想选择。