DMN4031SSDQ-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间和性能的平衡而妥协？想象一下，一个集双通道、低导通电阻与高可靠性于一身的解决方案，将如何彻底改变您的产品设计格局。这正是DMN4031SSDQ-13为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其卓越的电气性能，正成为工程师手中应对复杂挑战的利器。

无论是需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是空间极其有限的便携式设备中的负载开关，DMN4031SSDQ-13都能游刃有余。其40V的漏源电压和5.2A的连续漏极电流，为中小功率应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在10V栅极驱动下，导通电阻低至仅31毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接转化为更长的电池续航或更小的散热需求。当您的设计面临高温环境挑战时，它宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在各种严苛条件下的稳定运行。

选择DMN4031SSDQ-13，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET。您选择的是将两个独立的N沟道MOSFET集成在一个紧凑的8-SOIC封装内，这极大地节省了宝贵的PCB空间，简化了布局布线，加速了产品上市进程。其低栅极电荷（典型值18.6nC @10V）和输入电容特性，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了开关电源的效率和EMI性能。对于寻求可靠供应链和卓越技术支持的客户，通过正规的DIODES代理商进行采购，还能获得原厂品质保证与及时的技术服务，让您的项目全程无忧。让这颗高效、紧凑、可靠的双通道开关，成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:DMN4031SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:945pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.42W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• 想获取DMN4031SSDQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能节省空间又能提供强劲性能的双MOSFET而烦恼吗？DMN4031SSDQ-13就是您的理想答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个独立的40V/5.2A开关，其超低的31毫欧导通电阻能显著降低功率损耗，提升系统效率，让您的设计更节能、更凉爽。

它采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，非常适合空间受限的便携式设备、电源模块和电机驱动应用。优异的开关特性（低栅极电荷）让您能轻松实现高速切换，同时宽广的工作温度范围确保了在各种环境下的可靠运行。选择它，就是选择了一种高效、集成且可靠的电源开关解决方案。