DMN4026SK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个核心功率开关器件，能在高频率下稳定运行，同时将导通电阻压至极低，这不仅仅是参数的提升，更是系统整体性能和可靠性的飞跃。现在，这一切由DMN4026SK3-13为您实现。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其40V的漏源电压和高达28A的连续漏极电流承载能力，天生就是为高效功率转换而设计。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅24毫欧的最大值，意味着电流通过时的损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，而非转化为无谓的热量。更低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快，切换更干净利落，特别适合需要高频操作的DC-DC转换器、电机驱动和负载开关应用。无论是加速电动工具的响应，还是提升服务器电源的转换效率，它都能成为电路中那个安静而强大的“能量阀门”。

选择DMN4026SK3-13，您选择的是一份从容与信心。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-252（DPAK）的经典封装，确保了它在严苛环境下的稳定性和便捷的贴装工艺。这不仅仅是更换一个元件，更是为您的产品注入了强劲、可靠的心脏。当您致力于打造更具市场竞争力的终端产品时，与可靠的DIODES中国代理合作，获取原装正品和技术支持，将是项目成功的关键一步。让DMN4026SK3-13成为您下一个爆款设计中，那份看不见却至关重要的竞争优势。

• 型号:DMN4026SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1181 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能同时兼顾高电流与低损耗的“全能型”MOSFET吗？DMN4026SK3-13正是您的理想答案。它能让您的电源设计轻松驾驭28A的大电流，同时凭借低至24毫欧的导通电阻，显著减少功率损耗，提升整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它就像一位高效的能量调度员。在电机驱动中，它提供强劲动力与快速响应；在DC-DC转换器中，它确保电能高效、纯净地转换。其优异的开关特性（低栅极电荷）让您能设计更高频率的电路，从而使用更小的外围元件，实现产品的小型化与高效化。选择它，就是为您的产品选择了可靠性与性能的双重保障。