DMN31D6UT-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为如何在小空间内实现高效、可靠的功率开关而烦恼？想象一下，一款能够轻松集成到最紧凑的便携设备中，同时提供卓越性能的MOSFET，将如何彻底改变您的产品设计。DMN31D6UT-7正是为此而生，它不仅仅是一个元件，更是您释放产品潜力的关键钥匙。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其30V的漏源电压和350mA的连续漏极电流能力，在微型化的SOT-523封装内蕴藏着巨大能量。其低至1.5欧姆的导通电阻（在4.5V驱动下）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接转化为更长的电池续航和更稳定的系统运行。无论是智能手表的一次精准马达驱动，还是无线耳机的瞬间充电控制，它都能以极高的效率完成任务，让您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

它的应用场景几乎覆盖了所有对空间和能效有严苛要求的领域。在物联网传感器节点中，它负责精准的电源管理，确保设备在休眠与唤醒间无缝切换，最大化电池寿命。在便携式医疗设备里，它提供稳定可靠的信号开关，保障了监测数据的准确性与设备的安全性。甚至在消费电子的USB端口保护电路中，它也是默默守护的功臣。选择它，就是选择了一种将高性能与微型化完美融合的设计哲学。

那么，为什么众多工程师将DMN31D6UT-7作为首选？答案在于其无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（仅0.35nC）和输入电容（13.6pF）确保了超快的开关速度，让您的电路响应迅如闪电。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它应对各种恶劣环境的坚韧品质。更重要的是，通过与可靠的DIODES中国代理合作，您不仅能获得这颗优质芯片，还能享受到稳定的供货、专业的技术支持与本土化的快捷服务，让您的项目从设计到量产一路畅通。它不仅仅优化了您的电路，更优化了您的整个供应链体验。

• 型号:DMN31D6UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13.6 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 想获取DMN31D6UT-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能兼顾高效能与微型化的功率开关解决方案吗？DMN31D6UT-7 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它能在仅2.5V的低驱动电压下高效导通，让您轻松驾驭30V、350mA以内的负载，显著降低系统功耗与发热，特别适合电池供电的便携设备。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计在寸土寸金的PCB上实现可靠的功率切换与控制。其超低的导通电阻与栅极电荷，确保了快速的开关响应与极低的能量损耗，直接提升终端产品的续航与性能。无论是智能穿戴设备的马达驱动，还是物联网传感器的电源路径管理，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久、更高效。