DMN31D5UDA-7B

在追求极致空间利用与高效能表现的电子设计中，您是否常常为分立器件的布局和性能瓶颈而困扰？想象一下，一个仅需X2-DFN0806微小封装的空间，却能集成两个性能卓越的N沟道MOSFET，为您的紧凑型设备注入强劲动力。这正是DMN31D5UDA-7B为您带来的核心价值。它不仅仅是一颗双MOSFET阵列，更是Diodes Incorporated（美台半导体）为现代高密度PCB设计量身定制的空间与性能优化大师。

无论是智能穿戴设备中精细的电源路径管理，还是便携式消费电子里复杂的信号切换与负载驱动，这颗芯片都能游刃有余。其25V至30V的宽范围BVDSS，意味着它能从容应对多种低压应用场景的电压波动，提供可靠的保护。每个通道高达400mA的连续漏极电流驱动能力，配合低至1.5欧姆的导通电阻，确保了在驱动小型电机、LED灯串或作为开关控制时，能量损耗被降至最低，系统整体效率显著提升。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，更是赋予了产品无与伦比的环境适应性和稳定性，让您的设计能够从容应对各种严苛挑战。

选择DMN31D5UDA-7B，就是选择了一种更智能、更高效的工程哲学。它通过高度集成化，直接减少了板上元件数量，简化了布局布线难度，加速了您的产品上市周期。其表面贴装型设计和紧凑的6-SMD无引线封装，完美契合自动化生产需求，能有效降低整体BOM成本和组装复杂度。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，与专业的DIODES代理商合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，更能获得前沿的技术支持与选型指导，让这颗小巧而强大的芯片在您的下一个创新产品中发挥最大价值，助您轻松赢得市场竞争的先机。

• 型号:DMN31D5UDA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-6
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还在为电路板空间紧张而发愁吗？DMN31D5UDA-7B双N沟道MOSFET阵列，是您高密度设计的理想拍档。它在一个极小的X2-DFN0806封装内，为您提供了两个独立的开关通道，让您轻松实现复杂的负载驱动与信号切换，同时大幅节省宝贵的PCB面积。

这颗芯片能为您做什么？它让您以更少的空间，实现更强的控制力。每个通道支持高达400mA的连续电流，并具备优异的导通特性（1.5欧姆 @ 100mA, 4.5V），确保驱动小型电机、LED或执行开关任务时高效且低损耗。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和25V-30V的耐压设计，更为您的产品在各种环境下稳定运行提供了坚实保障。