DMN31D5L-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否正在寻找一款能够在小空间内实现可靠功率控制的解决方案？想象一下，一款能够在30V电压下稳定工作，以仅500mA的连续漏极电流实现精准开关，同时封装尺寸却仅有SOT-23大小的器件这正是DMN31D5L-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升产品性能、优化电路布局的秘密武器。

当您的便携式设备需要高效电源管理，或是您的IoT模块渴望更长的续航时间，DMN31D5L-13都能完美融入。其低至1.5欧姆的导通电阻（在4V Vgs下），意味着更少的能量损耗和更低的发热，让您的设备运行更冷静、更持久。从智能穿戴设备的背光控制，到传感器节点的负载开关，再到各类消费电子中的信号切换，这颗芯片都能以卓越的响应速度和稳定性，确保每一次开关都精准无误。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是赋予了产品无与伦比的环境适应能力，无论严寒酷暑，性能始终如一。

选择DMN31D5L-13，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与极致性价比的平衡。它采用成熟的MOSFET技术，驱动电压需求低（最小仅需2.5V），极易与各类微控制器或逻辑电路配合，极大简化了您的驱动电路设计。超低的栅极电荷（仅1.2nC）和输入电容（最大50pF），确保了高速开关性能，有效提升系统整体效率。对于追求快速上市和稳定供应链的工程师而言，通过正规的DIODES代理商获取这颗有源状态的芯片，意味着您将获得Diodes Incorporated（美台半导体）的原厂品质保障和持续的技术支持。让DMN31D5L-13成为您下一个设计中的亮点，用更小的空间，释放更大的能量，轻松驾驭高效能的未来。

• 型号:DMN31D5L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMN31D5L-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的空间和效率发愁吗？DMN31D5L-13正是为您排忧解难的得力助手。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，能在30V的电压环境下，高效、可靠地控制高达500mA的电流通断。其核心魅力在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著减少开关损耗和驱动功耗，让您的便携设备续航更久，响应更快。

它采用超紧凑的SOT-23表面贴装封装，能轻松融入任何对空间有严苛要求的设计中，无论是智能手环、蓝牙耳机还是各类传感器模块。优异的电气参数，如低至1.6V的阈值电压和宽广的工作温度范围，让您能轻松应对复杂的应用环境，实现稳定高效的能量控制。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而可靠的“能量心脏”。