DMN3190LDW-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为如何在紧凑空间内实现高效、可靠的信号切换而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMN3190LDW-13，这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，正是为突破空间与性能的极限而生。它不仅仅是一个元件，更是您产品实现小型化、高效化、智能化的关键引擎，将30V耐压、1A电流承载能力与逻辑电平驱动的便捷性，浓缩于仅有SOT-363封装的方寸之间，让您的设计从此轻盈而强大。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器节点中，DMN3190LDW-13正悄然发挥着核心作用。它极低的190毫欧导通电阻，意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接提升了电池的续航能力，让设备运行更持久、更冷静。其2.8V的低阈值电压，使其能与现代微处理器和低电压逻辑电路无缝对接，轻松实现高效的数字信号控制与功率管理。无论是用于负载开关、电源路径管理，还是信号多路复用与电平转换，它都能以出色的效率和可靠性，确保每一分电力都物尽其用，每一个指令都精准执行。

选择DMN3190LDW-13，就是选择了一份面向未来的设计保障。其高达150°C的结温工作范围，赋予了产品在严苛环境下稳定运行的底气。微小的封装尺寸不仅节省了宝贵的PCB面积，还为产品外观的极致纤薄提供了可能。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES中国代理合作，您不仅能获得这颗性能卓越的芯片，更能享受到稳定的供货保障、专业的技术支持与本地化的快捷服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即采用DMN3190LDW-13，让它成为您下一个爆款产品中，那个虽小却至关重要的“智慧开关”，驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMN3190LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:87pF @ 20V
• 功率 - 最大值:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的开关解决方案吗？DMN3190LDW-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想之选。它集成了两个逻辑电平驱动的MOSFET，拥有30V的耐压和1A的连续电流能力，其超低的导通电阻（仅190毫欧）能显著减少功率损耗，让您的便携式设备续航更持久，运行更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载切换、电源管理和信号路由。其SOT-363超小封装为您节省宝贵的电路板空间，非常适合空间受限的现代电子产品设计。无论是用于电池供电设备、智能传感器还是消费电子，DMN3190LDW-13都能以卓越的能效和可靠性，提升您产品的整体竞争力。