DMN3110LCP3-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗体积微小却性能强劲的MOSFET，能够轻松应对高达3.2A的连续电流，同时将导通电阻控制在极低的69毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃。这正是DMN3110LCP3-7为您带来的核心价值用更小的尺寸和更低的损耗，释放更大的能量。

无论是需要精密控制的便携式医疗设备，还是追求长续航的TWS耳机与智能穿戴产品，亦或是空间极其有限的超薄型笔记本电脑和IoT模块，DMN3110LCP3-7都能完美融入。其N通道设计和1.8V的低驱动电压，让它在电池供电场景下游刃有余，轻松实现高效的能量开关与路径管理。宽广的-55°C至150°C工作温度范围，更是确保了从消费电子到工业控制等各种严苛环境下的稳定与可靠，让您的产品设计无后顾之忧。

选择DMN3110LCP3-7，就是选择了一种更智能的解决方案。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升产品竞争力的关键伙伴。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这直接转化为更长的电池寿命和更低的系统发热。其表面贴装的3DFN超小型封装，为您在PCB板上节省出宝贵的空间，为产品的小型化与功能集成铺平道路。当您需要可靠且高性能的半导体支持时，专业的DIODES代理将成为您坚实的后盾，确保您能顺畅地获取这颗卓越的芯片，并应用于下一个引爆市场的创新产品中。

• 型号:DMN3110LCP3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 500mA，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.52 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.38W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• 想获取DMN3110LCP3-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为空间紧张和效率瓶颈发愁吗？让DMN3110LCP3-7来改变局面！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，集30V耐压与3.2A连续电流能力于一身，却拥有仅69毫欧的超低导通电阻。这意味着它能以极小的电压损失，高效地控制电流通断，直接为您带来更低的功耗和更长的设备续航。

得益于其1.8V的低驱动门槛和微小的栅极电荷，它能被轻松、快速地驱动，显著降低开关损耗，让您的电源管理电路运行得更“冷静”、更高效。无论是用于负载开关、电机驱动还是DC-DC转换，它都能让您的设计事半功倍。其超紧凑的3DFN封装，更是为您在寸土寸金的电路板上腾出宝贵空间，助力实现更轻薄、更集成的产品设计。