DMN30H4D0LFDE-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗仅需2.7V低压即可高效驱动的功率开关，能为您的设计带来怎样的性能飞跃？答案就藏在DMN30H4D0LFDE-13这颗精密的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现高效节能设计的秘密武器。

凭借高达300V的漏源电压和仅4欧姆的低导通电阻，这颗芯片在高压小电流应用中展现了非凡的控制力与效率。其超低的栅极电荷（仅7.6nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在频繁开关的工况下依然保持冷静与高效。无论是紧凑的USB PD快充适配器、智能家居的辅助电源，还是工业控制中的隔离式开关，DMN30H4D0LFDE-13都能以卓越的电气性能，确保能量精准、快速地传递，同时将热量和空间占用降至最低。其表面贴装的U-DFN2020-6超小型封装，更是为空间受限的现代电子产品量身定制，让高密度布线成为可能。

选择DMN30H4D0LFDE-13，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺与性能保障。它能在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，提供高达630mW的功率处理能力，确保您的产品在各种环境下都可靠耐用。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务。让这颗集高性能、小尺寸、高可靠性于一身的MOSFET，成为您下一款明星产品中那颗强劲而安静的心脏，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMN30H4D0LFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):550mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:187.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:630mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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还在为高压小电流电路的开关效率烦恼吗？DMN30H4D0LFDE-13正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET拥有300V的耐压和仅550mA的连续漏极电流，专为需要精密控制和高效开关的应用而设计。

它的核心魅力在于极低的驱动需求与出色的开关性能。仅需2.7V的驱动电压即可实现低导通电阻，配合超低的栅极电荷，能让您的电路开关速度更快、损耗更小、发热更低。无论是开发紧凑型电源适配器、LED驱动还是各类辅助电源模块，它都能让您的设计更高效、更可靠。

采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，这颗芯片在提供强大性能的同时，为您节省宝贵的PCB空间，轻松实现高密度布局，是追求小型化与高性能产品的理想选择。