DMN3061SVT-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间和性能的平衡而苦恼？想象一下，一个微小的封装内，蕴藏着驱动高效未来的双重动力。这正是DMN3061SVT-7为您带来的核心价值它将两个高性能的N沟道MOSFET集成于一个纤薄的TSOT-26封装之中，以仅30V的漏源电压和3.4A的连续电流能力，重新定义了小尺寸下的功率处理标准。

无论是需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是空间受限的便携设备中的负载开关，甚至是电机驱动中的H桥电路，DMN3061SVT-7都能游刃有余。其低至6.6nC的栅极电荷和278pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统不仅反应敏捷，更能显著提升整体能效，延长电池续航。在智能穿戴、物联网终端、消费电子主板的方寸之间，它正是那个让设计化繁为简、性能脱颖而出的关键元件。

选择DMN3061SVT-7，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的性价比。它来自Diodes Incorporated的成熟工艺平台，确保了批次间的一致性和长期稳定性。其表面贴装型设计和SOT-23-6的封装，极大简化了您的生产流程，降低了组装成本。当您需要稳定可靠的供应链支持时，专业的DIODES代理商将成为您坚实的后盾，提供从样品到量产的全方位服务。让这颗高效集成的双MOSFET，成为您下一款明星产品中无声却强大的引擎，助力您轻松驾驭市场，赢得先机。

• 型号:DMN3061SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.08W（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
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还在寻找一颗能同时节省空间和提升效率的“双核”功率开关吗？DMN3061SVT-7正是您的理想答案。这颗由Diodes Incorporated精心打造的双N沟道MOSFET阵列，将两个独立的30V/3.4A开关集成于微型TSOT-26封装内，让您在寸土寸金的PCB上轻松实现更复杂的电路功能。

它凭借低栅极电荷和输入电容，为您带来极高的开关效率，显著降低驱动损耗和发热。无论是用于同步整流提升电源转换效率，还是作为紧凑的负载开关管理多个电源轨，它都能让您的设计更加高效、可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而精巧的“动力心脏”。