DMN3060LVT-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为效率和空间而妥协？想象一下，一颗集高性能与微型化于一身的MOSFET，如何为您的设计注入全新活力。这正是DMN3060LVT-7带来的核心价值它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET，以其卓越的30V漏源电压和高达3.6A的连续漏极电流，为各种中低压应用场景提供了坚实可靠的心脏。其最大导通电阻低至60毫欧，意味着在开关过程中能量损耗被大幅削减，电能得以更高效地转化为实际动力，直接为您带来更长的设备运行时间与更低的发热量。无论是便携式设备的电池管理、负载开关，还是电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流，它都能游刃有余，确保系统响应迅速、运行平稳。

选择DMN3060LVT-7，就是选择了一种面向未来的设计思路。其紧凑的TSOT-26封装，在寸土寸金的PCB板上为您节省出宝贵空间，让产品得以向更轻薄、更小巧的方向进化。同时，高达830mW的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的非凡韧性，确保从消费电子到工业控制的各种应用中稳定如一。当您需要可靠且高性能的半导体解决方案时，通过专业的DIODES代理获取这颗芯片，无疑是通往成功设计最便捷、最安心的路径。让它成为您下一个爆款产品的核心引擎，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMN3060LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:395pF @ 15V
• 功率 - 最大值:830mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
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还在寻找一颗能同时征服效率与空间挑战的MOSFET吗？DMN3060LVT-7正是为您而来的答案。这颗双N沟道MOSFET拥有30V的耐压和3.6A的强劲电流能力，其核心魅力在于仅60毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉、更久、更高效。

它采用微型化的TSOT-26封装，能轻松融入对空间极其敏感的便携式设备设计中，为您释放宝贵的PCB面积。同时，高达830mW的功率处理和宽广的工作温度范围，确保了从消费电子到工业应用的多样场景中，它都能提供稳定可靠的性能。选择它，就是选择让您的设计轻松实现高性能与小体积的完美平衡。