DMN3026LVTQ-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMN3026LVTQ-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小尺寸功率器件的可能性。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、实现高效紧凑设计的秘密武器。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或无人机飞控系统中，需要一颗既能承受可观电流，又必须极其节省空间的开关器件。DIODES代理商为您带来的DMN3026LVTQ-7正是为此而生。它采用先进的TSOT-26封装，面积微小，却蕴藏着高达6.6A的连续漏极电流处理能力。其超低的23毫欧导通电阻（Rds(on)），意味着在开关过程中产生的热量和能量损耗被降至极低，直接转化为更长的电池续航、更低的温升以及更稳定的系统运行。无论是用于负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能游刃有余，让您的终端产品在性能和体积上取得完美平衡。

为什么越来越多的工程师在同类产品中坚定地选择DMN3026LVTQ-7？因为它精准地击中了现代电子设计的核心痛点。在30V的漏源电压支持下，它提供了宽广的安全工作区。仅需4.5V的驱动电压即可实现高效导通，与主流微控制器和逻辑电平完美兼容，让您的驱动电路设计变得异常简单。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，确保了超快的开关速度，进一步减少了开关损耗，提升了整体转换效率。从-55°C到150°C的广阔工作结温范围，赋予了它应对各种严苛环境挑战的可靠性，让您的设计无惧温度波动。选择DMN3026LVTQ-7，就是选择了一种集高效率、高可靠性、高功率密度于一体的解决方案，它能让您的产品在市场中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:DMN3026LVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:643 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在为有限的PCB空间和苛刻的能效要求发愁吗？让DMN3026LVTQ-7来为您解决！这颗N沟道MOSFET是专为高效、紧凑型应用而生的功率开关核心。它能在仅4.5V的低驱动电压下高效导通，轻松处理高达6.6A的连续电流，而其超低的23毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，直接为您带来更凉爽的运行温度和更长的设备续航。

它采用微型的TSOT-26表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，非常适合集成到空间受限的便携式设备中。无论是用于电源路径管理、电机控制还是DC-DC转换，DMN3026LVTQ-7都能让您的设计更高效、更可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。