DMN3026LVTQ-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗体积微小却性能强悍的MOSFET，如何能成为您下一代紧凑型设备中的“能量心脏”。答案就在DMN3026LVTQ-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和微小的封装尺寸，正在重新定义高效功率转换的边界。

当您需要为便携式设备、负载开关或DC-DC转换器寻找一颗可靠的“开关”时，DMN3026LVTQ-13的价值便立刻凸显。它拥有30V的漏源电压和高达6.6A的连续漏极电流，这意味着它能够轻松应对主流移动设备、IoT模块和各类消费电子产品的功率需求。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的23毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了超快的开关速度，进一步提升了整体系统的转换效率，这正是高性能与高能效的完美结合。

选择DMN3026LVTQ-13，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它采用先进的TSOT-26封装，在PCB上占据的面积微乎其微，为您的产品内部腾出了宝贵的空间，让设计更加灵活自由。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性和可靠性，确保您的产品在各种严苛条件下都能稳定运行。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗明星产品，专业的DIODES代理商将为您提供从选型支持到稳定供货的全链路服务。让DMN3026LVTQ-13成为您撬动产品竞争力提升的有力支点，用它那微小身躯中迸发的巨大能量，为您的终端用户带来更流畅、更持久、更可靠的使用体验。

• 型号:DMN3026LVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:643 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在为空间有限的PCB布局而烦恼吗？DMN3026LVTQ-13正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能将高达6.6A的电流高效“驾驭”在您30V的电路之中，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅23毫欧@10V），这意味着它能显著减少功率损耗，将更多电能转化为有用功，让您的设备运行更高效、发热更少。

同时，它拥有快速的开关特性（栅极电荷仅12.5nC）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保响应迅捷且稳定可靠。采用超小的TSOT-26表面贴装封装，它能轻松融入各种紧凑型设计，无论是便携设备还是高密度板卡，都能游刃有余。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且节省空间的“能量开关”。