DMN3025LSS-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关电源的损耗和发热问题而烦恼？想象一下，一个关键功率开关元件，能够在高频切换中保持冷静，将更多电能精准输送到负载，而非浪费在自身发热上这正是DMN3025LSS-13为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正在重新定义中小功率应用的效率标准。

当我们将目光投向实际应用，DMN3025LSS-13的身影无处不在。无论是您手中快速充电的适配器、高效运行的DC-DC转换模块，还是各类便携式设备中的电机驱动与负载开关，它都能胜任。其30V的漏源电压和7.2A的连续漏极电流，为12V至24V系统的设计提供了可靠保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的20毫欧，这意味着在相同电流下，它的导通损耗显著低于同类产品，直接转化为更低的温升和更高的整体系统效率。对于空间紧凑的便携设备，其8-SO的表面贴装封装更是节省PCB面积的理想选择。

选择DMN3025LSS-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能优势。它拥有极低的栅极电荷（仅13.2nC）和输入电容，这使得驱动电路设计更为简单，开关速度更快，进一步减少了开关损耗。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具吸引力。为了确保您能获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购，他们不仅能提供原厂品质的器件，还能为您后续的设计与生产保驾护航。让DMN3025LSS-13成为您提升产品竞争力的秘密武器，开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMN3025LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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还在寻找一颗能兼顾高效与可靠的功率开关吗？DMN3025LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V/7.2A的强劲规格，其核心魅力在于超低的20毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的8-SO封装，非常适合空间受限的便携式设备。同时，优化的栅极电荷和快速开关特性，让您的驱动电路设计更简单，系统响应更迅捷。选择它，就是为您的产品注入了Diodes原厂的品质与性能保障。