DMN3013LDG-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个集高电流承载与超低导通电阻于一身的解决方案，将如何彻底改变您的设计。答案就在DMN3013LDG-13。这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其30V的漏源电压和高达15A（Tc）的连续漏极电流能力，为您打开了高效功率转换的新大门。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

无论是需要紧凑布局的便携式设备，还是对散热要求严苛的工业模块，DMN3013LDG-13都能游刃有余。其14.3毫欧的超低导通电阻（在4A，8V条件下），意味着在负载切换过程中，能量以热的形式浪费的部分被大幅削减，直接转化为更长的电池续航或更低的系统温升。从同步整流、电机驱动到负载开关和DC-DC转换器，这颗芯片都能确保您的应用运行得更冷静、更持久。选择可靠的DIODES代理，您获得的不仅是这颗高性能芯片，更是从选型到供应的全程专业支持。

为何众多工程师在同类产品中独独青睐它？因为价值体现在每一个细节里。8-PowerLDFN的超紧凑封装，为空间受限的设计解除了束缚；仅5.7nC的低栅极电荷，显著降低了驱动损耗，让开关频率可以更高，磁性元件可以更小；宽广的-55°C至150°C结温工作范围，则赋予了产品无与伦比的环境适应性和可靠性。当您将DMN3013LDG-13集成到您的下一个设计中时，您选择的不仅是一个高性能的MOSFET阵列，更是一份对效率、功率密度和最终产品可靠性的坚定承诺。立即行动，让它成为您产品脱颖而出的秘密武器。

• 型号:DMN3013LDG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.16W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerLDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（D 类）
• 想获取DMN3013LDG-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能承载大电流、又具备极低损耗的紧凑型MOSFET而烦恼吗？DMN3013LDG-13正是为您的高效电源设计而生。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借其30V的耐压和高达15A的连续电流能力，让您轻松应对严苛的功率切换任务。

其核心魅力在于高达14.3毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升系统整体效率并降低温升。同时，极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关特性，让您的DC-DC转换器或电机驱动电路运行得更快、更高效。采用节省空间的8-PowerLDFN封装，它完美适配各类紧凑型现代电子设备，是您提升产品功率密度和可靠性的理想选择。