DMN3010LK3-13

当您需要一款能够在紧凑空间内提供强大功率处理能力的MOSFET时，是否曾为平衡性能、可靠性与成本而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐DMN3010LK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为高效能、高密度应用而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，以其出色的电气特性和坚固的物理设计，为您的电源管理、电机驱动等核心电路注入澎湃而稳定的动力。

想象一下，在您的便携式设备、服务器电源模块或工业自动化控制板中，DMN3010LK3-13正默默发挥着核心作用。它高达30V的漏源电压和惊人的43A（Tc）连续漏极电流能力，意味着它能轻松应对瞬间大电流冲击，确保系统在重载下依然稳定运行。其极低的导通电阻（仅9.5毫欧@10V），直接转化为更少的能量损耗和更低的工作温升，这不仅提升了整体能效，让您的设备更省电、续航更持久，也显著增强了系统的长期可靠性，减少了因过热导致的故障风险。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流，还是作为电机H桥中的开关管，它都能以迅捷的开关响应和高效的功率传输，让您的设计性能脱颖而出。

选择DMN3010LK3-13，就是选择了一份经市场验证的卓越与安心。它采用成熟的TO-252（DPAK）封装，在提供优异散热性能的同时，保持了表面贴装的便利性，非常适合自动化生产。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。虽然该型号目前已停产，但通过可靠的DIODES中国代理渠道，您依然可以获得稳定库存，用于现有产品的维护、升级或特定批次的生产，保障您的供应链安全与项目连续性。这不仅仅是一次元器件采购，更是为您的产品引入一颗经过千锤百炼的“强芯”，以卓越的性能和价值，助力您的项目赢得市场。

• 型号:DMN3010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.1A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能完美平衡开关速度与导通损耗的MOSFET吗？DMN3010LK3-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达43A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于极低的9.5毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用4.5V至10V的标准驱动电压，易于驱动，配合TO-252封装出色的散热特性，让您在设计高功率密度应用时更加得心应手。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，DMN3010LK3-13都能以卓越的性能，成为您电路中可靠而强大的“开关卫士”。