DMN2990UFO-7B

在追求极致能效的今天，您的下一个便携式设备或紧凑型电源模块，是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？答案就在DMN2990UFO-7B这颗高性能N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的关键引擎。凭借仅990毫欧的超低导通电阻（在4.5V Vgs下），它能将宝贵的电池能量最大限度地转化为有效输出，显著减少热量产生，让您的设备运行更冷静、续航更持久。高达750mA的连续漏极电流承载能力和20V的漏源电压，为各类低压应用提供了坚实可靠的性能基石。

想象一下，在您掌中的智能穿戴设备里，它正以极低的栅极电荷（仅0.41nC）和输入电容（31pF）飞速切换，确保心率监测或数据同步的响应迅如闪电；在精巧的无人机飞控或IoT传感器模块中，其X2-DFN0604-3超小型封装完美融入寸土寸金的PCB布局，为更多功能设计释放空间。从负载开关、电源管理，到电机驱动、信号切换，DMN2990UFO-7B都能游刃有余，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是保障了产品在严苛环境下的稳定表现，让创意无惧挑战。

选择DMN2990UFO-7B，就是选择了一份由Diodes Incorporated品质背书的信心。它精准平衡了性能、尺寸与成本，是工程师实现高效、紧凑设计的理想之选。为了确保您获得原厂正品与及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方DIODES授权代理进行采购。这不仅是获得稳定供货的保障，更是为您项目顺利量产保驾护航的关键一步。立即行动，让这颗高效能芯片为您的产品注入强大动力，在市场中脱颖而出！

• 型号:DMN2990UFO-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0604-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.41 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:840mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0604-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在寻找一颗能兼顾高效能与微型化的MOSFET吗？DMN2990UFO-7B正是为您而来！它能让您的便携式设备轻松实现更低的功率损耗和更长的续航，其超低的导通电阻与栅极电荷确保了开关动作既快速又节能。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的“电子开关”，在您的智能手表、蓝牙耳机或物联网模块中，精准控制电流的通断，让电源管理变得无比高效。其表面贴装的超小封装，让您在设计时能最大化利用电路板空间，集成更多功能。

凭借20V的耐压和750mA的电流处理能力，结合宽广的工作温度范围，它让您的产品设计不仅紧凑，而且稳定可靠，轻松应对各种应用场景的挑战。