DMN2990UFB-7B

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个便携式设备或汽车电子模块，是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？答案或许就藏在DMN2990UFB-7B这颗精密的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个开关，更是您实现高效能量控制、提升系统可靠性的关键伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理设计，它正悄然成为工程师们在空间受限、性能要求严苛场景下的首选方案。

想象一下，在您设计的TWS耳机充电仓里，需要一颗器件来精准管理电池的充放电通路；在智能手表的电源管理单元中，要求开关迅速响应且自身损耗极低；或者在符合车规的LED驱动模块里，即便在引擎舱的高温环境下也需稳定工作。DMN2990UFB-7B正是为这些场景而生。其20V的漏源电压和780mA的连续电流能力，轻松应对各类低压、小电流的开关与负载切换任务。更令人印象深刻的是，它在仅1.8V的低驱动电压下即可实现高效导通，这对于由单节锂电池或低电压逻辑直接驱动的系统至关重要，能显著简化您的驱动电路设计，节省宝贵的PCB空间和BOM成本。

选择DMN2990UFB-7B，意味着您选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。它隶属于严格的Automotive, AEC-Q101产品系列，历经严苛的认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了从消费电子到汽车应用所需的超高可靠性与环境适应性。其超低的栅极电荷（仅0.41nC）和输入电容（31pF），带来了极快的开关速度和极低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效再上一个台阶。同时，其微型的3DFN封装（X1-DFN1006-3）在提供520mW强大散热能力的同时，将占板面积压缩到极致，是追求轻薄短小设计的完美答案。若您正在寻找稳定可靠的货源与技术支持，我们的DIODES授权代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让DMN2990UFB-7B成为您产品中那颗安静却强大的“能量心脏”，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMN2990UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):780mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.41 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:31 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:520mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• 想获取DMN2990UFB-7B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否在寻找一颗既能胜任精密开关任务，又足够节省空间的MOSFET？DMN2990UFB-7B正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和780mA的连续电流能力，专为低压、小电流的高效控制场景优化。

它能让您轻松实现高效的负载开关与电源路径管理。其关键优势在于极低的驱动需求（最低1.8V）和超快的开关特性（栅极电荷仅0.41nC），这直接转化为更低的系统功耗和更迅捷的响应速度。同时，它采用微型3DFN封装，能帮助您大幅压缩PCB布局空间。

更重要的是，它符合AEC-Q101车规标准，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的卓越可靠性。无论是便携设备还是汽车电子，选择DMN2990UFB-7B，就是为您的设计注入了高效与稳定的基因。