DMN26D0UT-7

在追求极致紧凑与高效能的电子设计前沿，您是否曾为寻找一颗能在有限空间内稳定驱动负载、同时保持超低功耗的MOSFET而困扰？今天，我们为您带来的DMN26D0UT-7，正是为破解这一难题而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的漏源电压和230mA的连续漏极电流能力，在微小的SOT-523封装内蕴藏着令人惊喜的能量密度。它不仅仅是一个开关元件，更是您实现产品小型化、提升能效比的秘密武器，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在那些对空间极其苛刻的应用场景中，比如可穿戴设备的电源管理模块、便携式医疗传感器的信号切换电路，或是物联网终端节点的低功耗控制单元，DMN26D0UT-7都能游刃有余。其仅1.2V的低驱动电压门槛，意味着它能够轻松被微控制器等低压逻辑电路直接驱动，极大地简化了您的系统设计，省去了额外的电平转换电路。而3欧姆@100mA, 4.5V的低导通电阻，确保了在开关过程中更小的功率损耗，直接将电能更高效地传递给负载，显著延长电池续航时间，让您的终端产品用户体验更上一层楼。

选择DMN26D0UT-7，就是选择了一份可靠与安心。它拥有-55°C至150°C的宽工作温度范围，能够从容应对各种严苛环境，从炎热的户外到寒冷的工业现场，性能始终稳定如一。其表面贴装（SMT）的封装形式完美适配现代自动化生产线，助力您实现高效、规模化生产。当您需要这样一款性能卓越、品质可靠的MOSFET时，通过值得信赖的DIODES中国代理进行采购，不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能享受专业的技术支持与快捷的供货服务，让您的产品开发之旅畅通无阻。立即将DMN26D0UT-7纳入您的物料清单，开启高效、紧凑设计的新篇章！

• 型号:DMN26D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14.1 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN26D0UT-7这颗超小型N沟道MOSFET，就是为您解放空间、提升效率的得力助手。它能在仅1.2V的低电压下迅速响应，轻松完成信号切换或小功率负载驱动任务，让您的微控制器指令得到精准、高效的执行。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅3欧姆的低导通电阻，最大限度地减少了开关过程中的能量损耗，将更多电力用于实际工作，显著提升系统整体能效。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是作为传感器电路的精密开关，DMN26D0UT-7都能以稳定的性能和微小的身躯，助您打造出更节能、更紧凑、更具竞争力的电子产品。