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| DMN26D0UFB4-7B的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
DMN26D0UFB4-7B的图片

DMN26D0UFB4-7B

DIODES图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：DIODE
原厂封装：封装:X2-DFN1006-3
优势价格，DMN26D0UFB4-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMN26D0UFB4-7B的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMN26D0UFB4-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X2-DFN1006-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:DIODE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • Vgs（最大值）:±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14.1 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
  • 封装/外壳:3-XFDFN
  • 想获取DMN26D0UFB4-7B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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