DMN2500UFB4-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内实现高效开关控制的解决方案而困扰？想象一下，一个仅如米粒般大小的器件，却能以极低的损耗精准驱动您的电路，这正是DMN2500UFB4-7为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能，正在重新定义小功率、高密度应用的可能性。

当我们将目光投向其具体表现时，会发现它的优势无处不在。其超低的导通电阻，在4.5V驱动电压下仅400毫欧，这意味着在开关过程中，能量损耗被降至极低，更多的电能被有效利用，直接转化为更长的设备续航或更低的系统发热。同时，极低的栅极电荷（仅0.74nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，让您的电路响应如电光火石，特别适合需要高频切换的场合。从便携式医疗设备的精密控制，到物联网传感器节点的电源管理，再到消费电子中背光驱动的无声切换，DMN2500UFB4-7都能游刃有余，成为工程师手中可靠而高效的“电子开关”。

选择DMN2500UFB4-7，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计思路。它采用先进的3DFN封装（X2-DFN1006-3），在提供强大散热能力（最大功耗460mW）的同时，占板面积极小，为您的产品小型化、轻薄化扫清了障碍。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品从严寒到酷暑的稳定适应性，大大提升了终端产品的可靠性与耐用性。无论是升级现有设计还是开启全新项目，它都能让您的方案在效率、尺寸和可靠性上脱颖而出。为确保您获得正品保障与稳定的供货支持，我们推荐您通过专业的DIODES授权代理进行采购，为您的成功量产保驾护航。

• 型号:DMN2500UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):810mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在为空间有限的PCB布局发愁吗？DMN2500UFB4-7正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电流守门员”，能在1.8V至4.5V的低驱动电压下迅速响应，以最低仅400毫欧的导通电阻，让电流顺畅通过，极大减少开关损耗，直接提升您的系统能效。

它专为节省每一毫米空间而设计，采用超小的3DFN封装，却拥有高达810mA的连续电流处理能力和460mW的功率耗散能力。这意味着您可以在智能手表、TWS耳机、便携式传感器等对体积和功耗极度敏感的设备中，轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和电机驱动，让您的产品设计更紧凑，运行更持久、更凉爽。