DMN24H3D5L-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个电源管理或负载开关方案，是否还在为平衡性能与尺寸而烦恼？想象一下，一颗仅SOT-23封装大小的器件，却能稳健驾驭240V的高压，并实现高效的能量控制这并非遥不可及的未来科技，而是DMN24H3D5L-13为您带来的现实解决方案。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是工程师手中实现设计突破的利器。

这颗芯片的强大，首先体现在其令人信赖的坚固性上。高达240V的漏源电压（Vdss）和480mA的连续漏极电流能力，意味着它能在许多中低压应用场景中游刃有余，为系统提供一道可靠的安全屏障。更值得一提的是，它在3.3V的低驱动电压下即可展现优异的导通特性，这对于当今大量采用3.3V或5V逻辑电平的现代电子系统而言，意味着无需复杂的电平转换电路，直接驱动，简化设计的同时也降低了整体成本。其低至3.5欧姆的导通电阻（在10V Vgs时），确保了在开关过程中更低的功率损耗，将更多电能用于驱动负载，而非转化为无谓的热量，直接提升了终端产品的能效与续航。

从智能家居中的小巧适配器、LED照明驱动，到便携式设备里的精密电源管理单元，甚至是工业控制模块中的信号切换，DMN24H3D5L-13都能找到它的用武之地。它的宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了产品从严寒到酷暑的稳定适应力，满足严苛环境下的应用需求。超低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）带来了极快的开关速度，这对于需要高频PWM调制的应用（如高效DC-DC转换器）至关重要，能显著减少开关损耗，提升系统整体频率响应和效率。

选择DMN24H3D5L-13，就是选择了一种高性价比的设计哲学。它源自Diodes Incorporated的成熟技术平台，品质历经市场验证。其微小的SOT-23封装极大节省了宝贵的PCB空间，让您的产品设计可以更加纤薄、紧凑。无论是用于新项目的研发，还是对现有方案的优化升级，它都能以卓越的性能和可靠性，加速您的产品上市进程。如需获取样品或技术支持，我们的授权DIODES代理商网络随时准备为您提供专业服务。让这颗高效能、小尺寸的MOSFET，成为您产品在市场竞争中脱颖而出的秘密武器。

• 型号:DMN24H3D5L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):480mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您是否正在寻找一颗既能应对中高压场合，又极其节省空间的负载开关核心？DMN24H3D5L-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有240V的耐压和480mA的电流处理能力，让您在小巧的SOT-23封装内，轻松获得稳定可靠的功率开关性能。

它的魅力在于高效与易用。仅需3.3V的低驱动电压即可高效导通，完美适配现代低压数字控制系统，省去额外电路。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷与输入电容）能显著提升能效，减少发热，让您的产品运行更冷静、更持久。无论是电源管理、电机驱动还是信号切换，它都能助您一臂之力。