DMN2400UFDQ-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能实现高效开关控制，又能在紧凑空间内稳定运行的MOSFET而烦恼？答案就在DMN2400UFDQ-7。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和精巧的设计，正成为众多工程师在低压、小电流应用中的首选。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品性能、优化空间布局、降低整体功耗的关键赋能者。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器模块中，空间何其宝贵，每一毫瓦的功耗都至关重要。DMN2400UFDQ-7正是为此而生。它采用超紧凑的3DFN封装，面积微小，却能轻松应对20V的电压和900mA的连续电流，在电池供电的设备中扮演着高效的“电力开关”角色。无论是管理电源路径、驱动小型电机，还是作为信号切换的核心，它都能以极低的导通电阻（低至600毫欧）和超低的栅极电荷，确保能量损失最小化，让您的设备续航更持久，运行更冷静。

选择DMN2400UFDQ-7，意味着您选择了一种可靠且高效的解决方案。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品强大的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定工作。更低的驱动电压需求（最低1.5V）使其能与现代低功耗微控制器完美配合，简化您的驱动电路设计。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，通过专业的DIODES代理进行采购，不仅能确保产品正宗，还能获得及时的市场与技术支持，为您的项目从设计到量产全程护航。这颗小小的芯片，凝聚了Diodes对品质与创新的坚持，是您打造下一代精巧、高效、可靠电子产品的坚实基石。

• 型号:DMN2400UFDQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
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您正在设计需要精密电源管理或信号切换的紧凑型电子产品吗？DMN2400UFDQ-7就是为您量身定制的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在20V电压和900mA电流下高效工作，其超低的导通电阻和栅极电荷能显著减少开关损耗，让您的设备能效更高、续航更久。

它采用微型的3DFN表面贴装封装，能轻松融入空间极度受限的PCB布局中，是便携设备、可穿戴产品和物联网节点的理想选择。宽广的工作温度范围确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行，让您的设计无惧挑战，轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。