DMN2400UFDQ-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为如何在小空间内实现高效、可靠的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍DMN2400UFDQ-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足现代紧凑型设备对高性能与高集成度的双重渴望而生。它不仅仅是一个开关，更是您释放产品潜能、提升市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或可穿戴产品的核心电路中，这颗芯片正以高达900mA的连续漏极电流和仅20V的漏源电压，精准而高效地管理着能量流动。其低至600毫欧的导通电阻（在4.5V驱动下），意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接为您带来更长的电池续航和更冷静的系统运行。无论是智能手机中背光驱动的精细控制，还是IoT传感器节点中电源路径的智能切换，DMN2400UFDQ-13都能凭借其优异的电气特性，确保每一次开关都快速、干净、损耗极低。

选择它，就是选择了一份从容与高效。其超低的栅极电荷（仅0.5nC）和输入电容（37pF），显著降低了驱动电路的负担，让您的MCU或驱动IC工作得更轻松，系统响应速度更快。表面贴装的U-DFN1212-3（C类）封装，面积微小却坚固可靠，完美适应高密度PCB布局，为您的产品“瘦身”提供强大支持。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，更是赋予了产品应对各种严苛环境的底气。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您从选型到量产保驾护航。

归根结底，在元器件选择上，细节决定体验，性能定义价值。DMN2400UFDQ-13将卓越的能效、紧凑的尺寸和出色的可靠性融为一体，它不只是一个组件，更是您实现产品差异化、赢得用户青睐的制胜利器。立即将它纳入您的设计，亲身体验它如何让您的创意更快、更稳、更省电地变为现实。

• 型号:DMN2400UFDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
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还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗？DMN2400UFDQ-13 N沟道MOSFET就是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达900mA的电流，并以低至600毫欧的导通电阻，极大降低开关损耗，直接提升您设备的能效与续航。

这颗芯片专为空间受限的现代电子设备优化。其微型的U-DFN1212-3封装节省了宝贵的电路板空间，而仅0.5nC的超低栅极电荷让驱动变得异常高效，显著加快系统响应速度。无论是用于电源管理、负载开关还是信号切换，它都能确保稳定、快速的性能，让您的设计更紧凑、运行更冷静。