DMN2114SN-7

在追求极致能效的电子设计中，您是否还在为寻找一款体积小巧、性能可靠且成本优化的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMN2114SN-7。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的能效表现和紧凑的封装，正在重新定义小型化设备中功率管理的可能性。它不仅仅是一个元件，更是您产品实现高效、稳定运行的强大心脏。

想象一下，在您的手持设备、便携式音频播放器或智能穿戴产品中，需要一颗开关来精准控制电源或信号的通断。DMN2114SN-7正是为此而生。其20V的漏源电压和1.2A的连续漏极电流，足以轻松应对各类低压、小电流的负载切换场景。无论是电池供电设备中的负载开关，还是信号路径的隔离，它都能以极低的导通损耗（典型值仅100毫欧@4.5V Vgs）确保能量被高效利用，从而显著延长设备的续航时间。其低至1.4V的栅极阈值电压，意味着它能够与众多低电压微控制器或逻辑芯片完美配合，让您的系统设计更加灵活、简洁。

选择DMN2114SN-7，就是选择了一份可靠与高效。它采用先进的MOSFET技术，在SC-59-3的超小型表面贴装封装内，实现了优异的电气性能和热稳定性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定工作。其极低的输入电容（典型180pF）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于需要高频切换的应用至关重要。当您需要为项目寻找值得信赖的元器件伙伴时，通过正规的DIODES授权代理进行采购，不仅能保证产品的原装正品与稳定供应，更能获得专业的技术支持，让您的创新之路畅通无阻。立即将这颗高效能的小巨人纳入您的物料清单，它将以其出色的表现，成为您提升产品竞争力的秘密武器。

• 型号:DMN2114SN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间有限的PCB板寻找一颗高效能的开关吗？DMN2114SN-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它能让您轻松实现高达1.2A电流、20V电压的负载高效切换，其极低的导通电阻（典型100毫欧）意味着更少的能量损耗和更长的设备续航，让您的设计在性能和能效上双双胜出。

得益于其紧凑的SC-59-3封装和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），这颗芯片能轻松集成到各类便携式、空间受限的应用中，如智能穿戴、手持设备或IoT模块。其低栅极驱动电压特性（Vgs(th)最大1.4V）让它可以被大多数微控制器直接驱动，简化您的电路设计，助您快速、高效地将创意转化为可靠的产品。