DMN2100UDM-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和空间占用而烦恼？现在，一颗性能卓越的功率开关解决方案正静候您的发现DMN2100UDM-7。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的耐压和高达3.3A的连续漏极电流能力，为您的小型化、高效率设计蓝图注入了强大动力。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力的关键引擎，让每一次开关都精准、迅捷且损耗极低。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或智能穿戴产品的核心电路中，DMN2100UDM-7正默默发挥着巨大作用。其SOT-26的超紧凑封装，完美适配空间受限的PCB布局，让您的设计更加纤薄轻巧。无论是负载开关、电源管理路径的切换，还是电机驱动、LED背光控制，这颗芯片都能凭借其低至55毫欧的导通电阻（在4.5V驱动下）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保系统在各种严苛环境下稳定运行，续航更持久，性能更可靠。

选择DMN2100UDM-7，就是选择了一份经过市场验证的品质与效率保障。它1.5V的低驱动电压门槛，意味着您可以用更低的控制信号轻松驾驭它，简化驱动电路设计，降低整体系统功耗。其优异的动态特性有助于减少开关过程中的电压电流应力，从而提升整个产品的寿命和可靠性。当您需要稳定、优质的货源和专业的技术支持时，请务必认准官方授权的DIODES一级代理，他们将为您提供从选型到供应的全程无忧服务。让DMN2100UDM-7成为您下一个爆款产品中那颗不可或缺的“高效心脏”，开启能效新纪元。

• 型号:DMN2100UDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:555 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 想获取DMN2100UDM-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能兼顾高效能与小体积的功率开关吗？DMN2100UDM-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和3.3A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于低至55毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更长久。

它采用先进的MOSFET技术，仅需1.5V的低驱动电压即可高效开启，让您的控制电路设计变得异常轻松。同时，SOT-26的超小型封装为您节省宝贵的PCB空间，非常适合集成到各类便携式电子产品中。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载开关，DMN2100UDM-7都能以卓越的稳定性和高效率，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。