DMN2075U-7

想象一下，在您紧凑的电路板上，一个微小的元件正默默决定着整个系统的效率与可靠性。当空间和性能同样重要时，DMN2075U-7的出现，正是为了终结这种两难选择。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和极致的封装尺寸，正在重新定义小功率开关应用的性能标准。

无论是便携式设备中的电源管理，还是电机驱动模块中的精密控制，DMN2075U-7都能轻松胜任。它20V的漏源电压和高达4.2A的连续漏极电流，为各类负载切换提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在4.5V驱动电压下，其导通电阻低至38毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更长的续航和更低的发热脱颖而出。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从极寒到酷热环境下的稳定运行，可靠性无可挑剔。

选择DMN2075U-7，您选择的不仅仅是一颗MOSFET，更是一个经过市场验证的、能够显著提升终端产品竞争力的解决方案。其SOT-23-3的超小型封装，完美适配高密度PCB设计，为您的产品小型化之路扫清障碍。极低的栅极电荷（7nC @ 4.5V）和输入电容，使得开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了系统的动态性能。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，遍布全球的DIODES代理网络将是您最坚实的后盾。现在就为您的下一个设计项目注入这颗高效能“芯”，体验它带来的性能飞跃与设计自由。

• 型号:DMN2075U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:594.3 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为寻找一颗既高效又小巧的功率开关而烦恼吗？DMN2075U-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在20V电压下承载4.2A电流，并以低至38毫欧的导通电阻，让您的电路损耗大幅降低，效率显著提升。

它采用微型的SOT-23-3封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的开关特性（栅极电荷仅7nC）让驱动设计变得异常轻松。无论是用于电池保护、负载开关还是DC-DC转换，它都能让您的系统运行更凉爽、更持久、更可靠。