DMN2040LTS-13

在追求极致能效的现代电子设计中，您是否还在为寻找一款既能承载高电流、又能实现紧凑布局的功率开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来的DMN2040LTS-13，正是这样一颗能够完美平衡性能与尺寸的卓越双N沟道MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您最新的汽车电子模块或高密度电源设计中，空间是如此宝贵，而散热挑战又无处不在。DMN2040LTS-13以其紧凑的8-TSSOP封装，轻松解决了空间占用难题。更令人振奋的是，在这微小的身躯内，蕴含着高达6.7A的连续漏极电流承载能力和低至26毫欧的导通电阻。这意味着什么？意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，以及最终系统整体效率的显著跃升。无论是用于电机驱动、负载开关，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能确保能量以最高效的方式传递，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

选择DMN2040LTS-13，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的可靠承诺。它隶属于严苛的Automotive, AEC-Q101产品系列，历经车规级认证，能够在-55°C到150°C的极端结温下稳定工作，为您应对最严酷的环境挑战注入强大信心。其优化的栅极电荷和输入电容参数，确保了快速、干净的开关特性，让您的电路响应更加敏捷，控制更为精准。当您需要稳定、高品质的元器件供应时，请务必通过官方DIODES授权代理进行采购，这是保障产品长期可靠性与供应链安全的最明智选择。让DMN2040LTS-13成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:DMN2040LTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570pF @ 10V
• 功率 - 最大值:890mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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还在为功率转换效率低下和电路板空间紧张而头疼吗？DMN2040LTS-13双N沟道MOSFET阵列正是为您量身打造的解决方案。它集高电流处理能力与超低导通电阻于一身，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现紧凑型设计，其微小的8-TSSOP封装为您节省宝贵的PCB空间。同时，其优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保快速响应，提升系统整体性能。无论是汽车电子、便携设备还是工业控制，选择它，就是选择了可靠、高效与卓越。