DMN2029UVT-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载高电流又具备出色开关性能的MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍DMN2029UVT-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达6.8A的连续漏极电流和仅为24毫欧的超低导通电阻，重新定义了紧凑型功率开关的性能标杆。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现高效能量管理的秘密武器。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或高密度电源模块中，空间总是寸土寸金。而DMN2029UVT-7采用的TSOT-26超小型封装，正是为应对这种挑战而生。它能在极其有限的空间内，稳定可靠地处理大电流任务，无论是作为负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流管，都能游刃有余。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了从严寒到酷热的各种严苛环境下，您的产品性能始终如一，稳定如山。选择它，意味着您为产品注入了强大的心脏和坚韧的体魄。

那么，为何众多工程师在众多选择中独钟于它？核心在于其无与伦比的“能效比”。极低的导通电阻意味着在导通状态下更小的功率损耗，电能被更高效地传递到负载，而非转化为无用的热量。这不仅直接提升了终端设备的续航能力，也简化了散热设计，降低了系统复杂性和整体成本。当您需要可靠的供应链和技术支持时，专业的DIODES芯片代理将是您坚实的后盾，确保您能顺畅地将这颗高性能芯片集成到您的创新设计中。从原型验证到批量生产，DMN2029UVT-7以其卓越的性能和可靠性，成为您打造下一代高效、紧凑、耐用电子产品的明智之选，助您在市场竞争中率先冲线。

• 型号:DMN2029UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在为空间受限的电路板寻找一颗“大力士”级别的开关吗？DMN2029UVT-7就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在小巧的TSOT-26封装内，为您持续输送高达6.8A的强大电流，而其导通电阻低至惊人的24毫欧（@4.5V），这意味着更少的能量损耗和更高的整体效率。

它能让您的设计轻松应对高电流开关任务，无论是快速启闭负载，还是在DC-DC转换中实现高效同步整流。其优异的性能让您的设备运行更凉爽、续航更持久。选择它，就是选择了一种高效、可靠且节省空间的功率解决方案，助您轻松攻克紧凑型高功率密度设计的难题。