DMN2028UVT-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗集高效、紧凑与可靠于一身的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在DMN2028UVT-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的耐压和高达6.2A的连续漏极电流能力，为您带来前所未有的功率密度与效率平衡。

无论是需要快速响应的负载开关、高频率的DC-DC转换器，还是空间极其宝贵的便携式设备中的电机驱动，DMN2028UVT-13都能游刃有余。其低至24毫欧的导通电阻（在4.5V Vgs条件下），意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久。搭配仅8.3nC的低栅极电荷，它实现了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，这对于提升整体电源效率至关重要。其紧凑的TSOT-26封装，完美适配高密度PCB布局，让您在方寸之间释放更大能量。

选择DMN2028UVT-13，不仅仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。它宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定表现，而其优化的驱动电压（2.5V至4.5V）使其与现代低电压逻辑电路无缝对接，简化了驱动设计。当您寻求可靠且高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，能确保您获得正品货源、全面的技术支持和优化的供应链服务，让您的产品从设计到量产都畅通无阻。让DMN2028UVT-13成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启高效、紧凑的电源管理新纪元。

• 型号:DMN2028UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:856 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在为电源路径上的效率瓶颈和空间限制烦恼吗？DMN2028UVT-13正是为您破局而来的利器。这颗N沟道MOSFET能为您高效、精准地控制电流通断，其卓越的电气参数6.2A的电流处理能力、仅24毫欧的低导通电阻以及快速的开关特性让您轻松实现更低的功率损耗和更高的系统效率。

无论是用于同步整流、负载开关还是电机驱动，它都能让您的设计性能显著提升。紧凑的TSOT-26封装更让您在有限的板级空间内集成强大功能，简化布局，加速产品上市。选择DMN2028UVT-13，就是选择为您的应用注入一颗强劲而高效的核心。