DMN2028UFU-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？答案或许就藏在DMN2028UFU-7这颗双N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。凭借其低至20.2毫欧的导通电阻和高达7.5A的连续电流能力，它能将每一次开关的能量损耗降至最低，直接转化为更长的续航、更低的发热和更稳定的系统表现，让您的设计从一开始就赢在起跑线上。

想象一下，在紧凑的智能手机快充模块里，它如何高效协同，实现快速且低温的能量传输；在轻薄的笔记本电脑主板上，它如何以微小的身躯承载关键的负载开关与电源路径管理；在那些对空间和效率都极为苛刻的便携式设备、无人机电调或智能穿戴产品中，它又是如何成为工程师信赖的“空间魔术师”。其-55°C至150°C的宽工作温度范围，更是为产品应对各种严苛环境提供了坚实的可靠性保障。选择DIODES芯片代理，您获得的不仅是这颗高性能芯片，更是从源头保障的供应链稳定与专业的技术支持网络。

那么，为何众多领先设计都倾向于选择DMN2028UFU-7？其核心价值在于卓越的性能密度比。在仅有6-UFDFN的超小封装内，它集成了两颗高性能MOSFET，采用共漏极配置，极大简化了电路布局，为您节省宝贵的PCB面积。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统能够轻松应对高频开关需求，整体效率显著提升。无论是为了追求产品的极致轻薄，还是为了构建高效可靠的电源管理系统，这颗芯片都能为您提供一个经过市场验证的、高性价比的优质解决方案，助您将创新想法快速转化为市场优势。

• 型号:DMN2028UFU-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:887pF @ 10V
• 功率 - 最大值:900mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
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还在寻找一颗能同时搞定高效能与小体积的功率开关解决方案吗？DMN2028UFU-7正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET就像您电路中的“高效双核引擎”，其超低的20.2毫欧导通电阻，能大幅削减传导损耗，让电能传输更顺畅，设备发热更少，直接提升终端产品的续航与可靠性。

它能让您轻松驾驭高达7.5A的连续电流，并凭借快速的开关特性（低栅极电荷），显著提升电源转换效率。无论是用于负载开关、电机驱动还是DC-DC转换，其紧凑的6-UFDFN封装都能为您节省大量板级空间，让设计更灵活、产品更轻薄。选择它，就是选择了一个高效、紧凑且可靠的功率管理基石。