DMN2028UFDF-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMN2028UFDF-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了20V功率开关的标杆。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或高密度服务器主板中，需要一颗既能承载高达7.9A电流，又能在极低导通电阻下高效运作的开关。DMN2028UFDF-13正是为此而生。其25毫欧@4A, 4.5V的超低导通电阻，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升。无论是同步整流、负载开关还是电机驱动，它都能确保能量以最纯净、最高效的方式传递，让您的终端产品在市场中脱颖而出。

选择DMN2028UFDF-13，就是选择了一份可靠与高效的双重保障。它采用先进的U-DFN2020-6封装，在指甲盖大小的面积内集成了强大的功率处理能力，为您的PCB布局释放出宝贵的空间。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行。更低的栅极电荷（仅18nC）和输入电容，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了整个系统的动态性能。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，我们的DIODES中国代理网络随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次面向未来高效能设计的有力投资。

• 型号:DMN2028UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:907 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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还在为寻找一颗体积小巧、性能强悍的功率开关而烦恼吗？DMN2028UFDF-13就是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达7.9A的连续电流，凭借低至25毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效，直接提升终端产品的能效表现和可靠性。

它采用超紧凑的U-DFN2020-6封装，为您的高密度电路板设计节省每一寸宝贵空间。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让驱动电路设计变得简单，帮助您加速产品开发周期。选择它，就是为您的项目注入一颗强劲而高效的“心脏”。