DMN2026UVT-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为散热、空间和效率的平衡而妥协？想象一下，一颗仅TSOT-26封装大小的芯片，却能持续承载高达6.2A的电流，将导通电阻压降至惊人的24毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统性能的一次飞跃。这正是DMN2026UVT-13为您带来的现实它重新定义了小尺寸功率器件的可能性。

无论是需要快速响应的负载开关，还是对效率极为敏感的DC-DC转换器同步整流，DMN2026UVT-13都能游刃有余。其N沟道设计和低至1.5V的阈值电压，让它在低电压驱动下就能完全开启，极大地简化了驱动电路设计，为便携设备、物联网模块、USB供电设备等空间受限的应用注入了强劲而高效的动力核心。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了产品在各种严苛环境下的可靠性，让您的设计无惧挑战。

选择DMN2026UVT-13，就是选择了一种更明智的工程哲学。它不仅仅是一个MOSFET，它是一个集高电流能力、超低导通损耗、优异热性能和微型封装于一体的完整解决方案。它能显著降低系统的整体功耗和温升，延长电池寿命，同时为PCB布局释放出宝贵的空间。当您需要可靠、高性能的半导体解决方案时，通过专业的DIODES代理获取这颗芯片，意味着您同时获得了原厂品质保障与及时的技术支持。让DMN2026UVT-13成为您下一个爆款产品的秘密武器，开启高效、紧凑、可靠的新篇章。

• 型号:DMN2026UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:887 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在寻找一颗能兼顾大电流与小体积的“全能型”MOSFET吗？DMN2026UVT-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达6.2A的连续漏极电流，而其导通电阻在4.5V驱动下仅为24毫欧，这意味着它能以极低的损耗高效切换功率，显著减少发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

得益于其低至1.5V的开启阈值和优化的栅极电荷，它能轻松被微控制器或低压逻辑电路直接驱动，简化您的设计。无论是用于电源路径管理、电机驱动，还是DC-DC转换中的同步整流，它都能让您轻松实现高效率和高功率密度。采用微型TSOT-26封装，它能为您的紧凑型设计节省每一毫米空间，是便携式设备、智能硬件和各类嵌入式应用的功率开关优选。